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技术资料参考

芯片技术资料

6 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最大直流集电极电流 0.5 A、最大集电极截止电流 0.1 uA，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区韩国、单件重量 0.016000 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors