MPS8099
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| MPS8098G | onsemi |
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| MPS8099RLRMG | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MPS8099 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPS8099 TRE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 0、型号别名 FREE MPS8099 PB TRE。
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