MPS5306
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-92-3 封装。
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MPS5306 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPS5306 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPS5306 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.016000 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPS5306 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPS5306 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPS5306 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors