MPQ8039GN
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 24 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MPQ8039GN-AEC1
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 2.5 uA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8E 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversMPQ8039GN-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 7.5～25 V、输出电压范围 5.1～6 V、输出电流 4.25 A、类型 General Purpose、输入电压范围 7.5～25 V、输入电流 1.5 mA，采用 SOIC-8E 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICMPQ8039GN-AEC1-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 2.5 uA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8E 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversMPQ8039GN-P
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 7.5～25 V、输出电压范围 5.1～6 V、输出电流 4.25 A、类型 General Purpose、输入电压范围 7.5～25 V、输入电流 1.5 mA，采用 SOIC-8E 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICMPQ8039GN-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 24 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers