MPQ2222
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.6 V，采用 TO-116 封装。
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MPQ2222 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPQ2222 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPQ2222A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-116 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPQ2222A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-116-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMPQ2222A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMPQ2222A
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOIC-16 封装。
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