MMUN2235LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJV3113RMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MMUN2235LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000283 oz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVMMUN2235LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVMMUN2235LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80 at 5 mA, 10 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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