MMUN2232LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23 (Pb-Free)-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJV3101RMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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MMUN2232LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVMMUN2232LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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