MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMUN2212LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVMMUN2212LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000283 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVMMUN2212LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000283 oz，采用 SOT-23-3 封装。
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