MMUN2132LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased搜索结果
原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJN4301RTA | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MMUN2131LT1G | onsemi |
| 查看资料 | |
| NSVMMUN2132LT1G-M01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MMUN2132LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVMMUN2132LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVMMUN2132LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000283 oz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors