MMSZ5245C
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
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MMSZ5245C-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.082 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5245C-HE3_A-18
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 16 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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