MMSZ5235B
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
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MMSZ5235B
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B RH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.05 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.05 %/C、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.05 %/C、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.05 %/C、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
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