MMSZ4713T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 10 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SMMSZ4713T1G | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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MMSZ4713T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSMMSZ4713T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMMSZ4713T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 10 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMMSZ4713T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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