MMSZ4684T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 7.5 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
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MMSZ4684T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 7.5 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 7.5 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 7.5 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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