MMBZ5253B
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
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MMBZ5253B
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 300 mW、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253B-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.089 %/C、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMBZ5253BLT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 25 V、耗散功率（Pd） 225 mW、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 35 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
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