MMBZ5239BLT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 225 mW、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| MMBZ5239ELT1G | onsemi |
| 查看资料 |
| SZMMBZ9V1ALT3G | onsemi |
| 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 9.1 V、耗散功率(Pd) 225 mW、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗(Zz) 10 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodesonsemi
该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、认证等级 AEC-Q100、组装国家或地区 中国、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.001093 oz,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes