MMBTH81
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-23 封装。
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MMBTH81
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该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF Bipolar TransistorsNSVMMBTH81LT1G
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该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVMMBTH81LT3G
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该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT