MMBT589LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMBT589LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVMMBT589LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVMMBT589LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q100、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 中国，采用 SOT-23-3 封装。
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