MMBT2907A
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
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芯片技术资料
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MMBT2907A RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907A RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907A-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907A-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907A-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907A-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsMMBT2907A-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsMMBT2907A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2907AH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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