MMBF5486
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压(Vgs) - 25 V,采用 SOT-23 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压(Vgs) - 25 V,采用 SOT-23 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管