MMA20312BVT1
NXP / Freescale
主要参数包括技术 GaAs InGaP、类型 HBT Amplifier、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、型号别名 935310845547、单件重量 0.000776 oz,采用 QFN-12 封装。
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NXP / Freescale
主要参数包括技术 GaAs InGaP、类型 HBT Amplifier、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、型号别名 935310845547、单件重量 0.000776 oz,采用 QFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierNXP Semiconductors
主要参数包括技术 GaAs InGaP、类型 HBT Amplifier、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、型号别名 935310845547、单件重量 0.000776 oz,采用 QFN-12 封装。
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