MM3Z6V2ST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 3.7 mV/K、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
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MM3Z6V2ST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z6V2ST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.33 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 3.7 mV/K、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z6V2ST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
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