MM3Z6V2C
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323F-2 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| MM3Z6V2CWF | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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MM3Z6V2C
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
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