MM3Z6V2
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-323F 封装。
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MM3Z6V2-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-323F 封装。
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ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2B
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2C
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2C
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.7 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2ST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 3.7 mV/K、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2ST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 3.7 mV/K、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z6V2T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
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