MJD3055T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-252-3 封装。
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MJD3055T4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD3055T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.012381 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNJVMJD3055T4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V。
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