MIXA450PF1200TSF
IXYS
主要参数包括配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 650 A、栅射漏电流 1.5 uA、耗散功率(Pd) 2.1 kW,采用 SimBus F 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXYS
主要参数包括配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 650 A、栅射漏电流 1.5 uA、耗散功率(Pd) 2.1 kW,采用 SimBus F 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules