MDB10S
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、反向电流(Ir) 10 uA、反向电压(Vr) 700 V,采用 MicroDIP 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、反向电流(Ir) 10 uA、反向电压(Vr) 700 V,采用 MicroDIP 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiersonsemi
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 中国,采用 MicroDIP 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers