MD2F
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A。
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芯片技术资料
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EMD2FHAT2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV, 100 mV、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56，采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNHUMD2F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SOT363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPUMD2F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT