MC33151DR2G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SCY34151DR2G | onsemi |
| 2019-04-17 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MC33151DR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers