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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

SY100EP140LZC

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • MC100EP140DR2Gonsemi直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MC100EP140DR2G

ON Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 2 GHz、类型 Phase Frequency Detector、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Phase Detectors / Shifters
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MC100EP140DR2G

onsemi

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 2 GHz、技术 Si、类型 Phase Frequency Detector,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > Phase Detectors / Shifters
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