MBT35200MT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 35 V、集电极－基极电压（VCBO） - 55 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.26 V，采用 TSOP-6 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| MBT35200MT2G | onsemi |
| 2023-06-30 | 查看资料 |
| SMBT35200MT1G | onsemi |
| 2023-06-30 | 查看资料 |
| SNSS35200MR6T1G | onsemi |
| 2023-06-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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SMBT35200MT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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