MBS8
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.004233 oz，采用 MBS-4 封装。
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芯片技术资料
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MBS8 RCG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBS8-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBS8-K RCG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBS8H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBS8HRCG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS 封装。
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