MBR6050PT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 930 mV，采用 TO-247-3 封装。
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MBR6050PT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR6050PTe3/TU
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR6050PTe3/TU
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR6050PTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 TO-3P 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR6050PTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.93 V、正向浪涌电流（Ifsm） 420 A，采用 TO-247AD-3 封装。
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