MBR60100
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.88 V，采用 DO-5 封装。
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芯片技术资料
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MBR60100CT-E3/45
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国、单件重量 0.245577 oz，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、正向浪涌电流（Ifsm） 420 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PTe3/TU
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.84 V、正向浪涌电流（Ifsm） 420 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100PTHC0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、正向浪涌电流（Ifsm） 420 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR60100R
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.88 V，采用 DO-5 封装。
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