MBR3060PT
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-247-3 封装。
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MBR3060PT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 750 mV，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3060PT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3060PT-E3/45
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Barrier Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-247AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3060PTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 750 mV，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3060PTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-247AD-3 封装。
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