MBR10200CT
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 980 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 128 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。
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原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| MBR10200CT-LS | Diodes Incorporated |
| 2024-07-08 | 查看资料 |
| MBR10200CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-JT | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MBR10200CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、原产国家或地区 中国、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 TO-220AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.99 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 TO-220AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT-G1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT-Y C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers