MBR10100CT
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。
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MBR10100CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、反向电流（Ir） 15 mA，采用 $0.047 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-E1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-G1
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100CT-Y C0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-220AB-3 封装。
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