MBD54DWT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOT-363 封装。
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MBD54DWT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersNSVMBD54DWT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101。
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