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芯片技术资料

5 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

Rectron

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A，采用 MB-F 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934661426135。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased