MB1F
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A，采用 MB-F 封装。
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芯片技术资料
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3SBMB1F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersNHUMB1F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBMB1F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V。
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