ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MAX9996ETP+

Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、射频频率 1.7~2.2 GHz、中频频率 40~350 MHz、本振频率 1.9~2.4 GHz、产品 Down Converters、增益 8.3 dB,采用 TQFN-EP-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down Converters
查看技术资料

MAX9996ETP+

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、射频频率 1.7~2.2 GHz、中频频率 40~350 MHz、本振频率 1.9~2.4 GHz,采用 TQFN-EP-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down Converters
查看技术资料

MAX9996ETP+T

Maxim Integrated

主要参数包括型号别名 MAX9996。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down Converters
查看技术资料

MAX9996ETP+T

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、技术 SiGe、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX9996,采用 TQFN-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > Up-Down Converters
查看技术资料