MAX2670GTB+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2670，采用 TDFN-10 封装。
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MAX2670GTB+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2670。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2670GTB+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 25 mA，采用 TDFN-10 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2670GTB/V+
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、类型 GPS，采用 TDFN-10 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2670GTB/V+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 25 mA，采用 TDFN-10 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2670GTB/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2670、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-10 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2670GTB/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2670、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-10 封装。
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