MAX2601ESA+
Maxim Integrated
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 SOIC-8 封装。
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MAX2601ESA+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF Bipolar TransistorsMAX2601ESA+T
Maxim Integrated
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsMAX2601ESA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17 V，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
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