MAX2181AETE+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2181A，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181AETE+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2181A。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2181AETE+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 56 mA，采用 TQFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2181AETE/V+
Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 硅、类型 FM Automotive Low Noise Amplifier，采用 TQFN-16 封装。
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Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 TQFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2181AETE/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2181A。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX2181AETE/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2181A，采用 TQFN-16 封装。
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