MAX12000ETB+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX12000，采用 TDFN-10 封装。
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MAX12000ETB+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作频率 1.575 GHz、增益 34.8 dB、噪声系数（NF） 2 dB、型号别名 MAX12000。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMAX12000ETB+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 25 mA，采用 TDFN-10 封装。
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