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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

31 个原型号
原型号

93AA46CT-I/MS

Microchip Technology

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  • M93C46-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号
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93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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  • M93C56-RDW6TPSTMicroelectronics相似型号
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93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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  • M93C66-RMC6TGSTMicroelectronics相似型号
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93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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  • M93C66-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号
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93C86CT-I/ST

Microchip Technology

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  • M93C86-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号
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93LC46CX-E/SN

Microchip Technology

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  • M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
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93LC46CX-I/SN

Microchip Technology

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  • M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

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  • M93C66-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
原型号

93LC66CXT-E/SN

Microchip Technology

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  • M93C66-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

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  • M93C66-WMN6PSTMicroelectronics相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

30 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

M93C

MACOM

RF Mixer

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer
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M93C46-RDW3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C46-RMN3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SO-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C46-WDW6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C46-WMN6P

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C46-WMN6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C56-RDW3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C56-RDW6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C56-RMN3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SO-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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M93C56-RMN6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。

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