MT46V32M8TG-75 IT:G TR
Micron Technology Inc.
- IS43R83200F-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
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STMicroelectronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MACOM
采用 TO-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerMACOM
采用 TO-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerMACOM
采用 TO-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 16 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 26 V、击穿电压 17.8 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 17 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 27.6 V、击穿电压 18.9 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 18 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 29.2 V、击穿电压 20 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 20 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 32.4 V、击穿电压 22.2 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 22 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 35.5 V、击穿电压 24.4 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 26 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 42.1 V、击穿电压 26.7 V,采用 DO-218AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS