M6R
MACOM
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 TO-5 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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BUK7M6R0-40HX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBUK7M6R3-40EX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 70 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBUK7M6R7-40HX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBUK9M6R0-40HX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBUK9M6R6-30EX
Nexperia
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBUK9M6R7-40HX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFJ8071504804515S RM6R
Intel
主要参数包括型号别名 99C22X。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsSCSM6R
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 150 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 1.8 kA。
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