原型号
查看详情 · 2 条候选IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
M4G
MACOM
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 FP 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer1PGSMB5926 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗（Zz） 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5926HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗（Zz） 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5927 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 125 mA、稳压管阻抗（Zz） 6.5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5927HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 125 mA、稳压管阻抗（Zz） 6.5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5928 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 115 mA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5928HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 115 mA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5929 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 100 mA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5929HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 100 mA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMB5930 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 94 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes