M29F400FB55N3E2
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSOP-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Alliance Memory
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TSOP-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash