M1J
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
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技术资料参考
芯片技术资料
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MX25L8006EM1J-12G-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 86 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25L8006EM1J-12G-TB
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 86 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25L8006EM1J-12G-TR
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 86 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U1632FM1J02-T
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U1632FM1J02-TB
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U1632FM1J02-TR
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U3232FM1J02-T
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U3232FM1J02-TB
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX25U3232FM1J02-TR
Macronix
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash